2025年9月12日，SK海力士宣布已成功完成面向AI的超高性能存儲器新產品HBM4的開發，并在全球首次構建了量產體系。
HBM4采用2048條數據傳輸通道，相比前一代產品翻倍，將帶寬擴大一倍。同時，其能效提升40%以上，實現了全球最高水平的數據處理速度和能效。此外，HBM4的運行速度達到10Gbps以上，大幅超越JEDEC標準規定的8Gbps。
SK海力士預測，將HBM4引入客戶系統后，AI服務性能最高可提升69%，這不僅能從根本上解決數據瓶頸問題，還可顯著降低數據中心電力成本。
在開發過程中，SK海力士采用了產品穩定性方面獲得市場認可的自主先進MR - MUF（批量回流模制底部填充）技術和第五代10納米級（1b）DRAM工藝，最大程度地降低了量產過程中的風險。
隨著AI需求和數據處理量劇增，對高帶寬存儲器的需求也在激增，HBM4有望成為滿足市場對高性能、高能效存儲器需求的最佳解決方案。此舉也彰顯了SK海力士在面向AI的存儲器技術領域的領導地位。
據悉，英偉達將是SK海力士HBM4的首個客戶，該產品將用于英偉達2026年推出的Rubin架構數據中心GPU上。
